//
عن GaN
رقائق GaN من رِمال تُحدث نقلة نوعية في قطاع الاتصالات والإلكترونيات الاستهلاكية.
يقدّم نيتريد الغاليوم (GaN) تنقّلًا عاليًا للإلكترونات (~2000 cm²/V·s) لجهود تتراوح بين 100V–650V مع مقاومة تشغيل منخفضة RDS(on) (15–50mΩ).
| المعلمة | القيمة |
|---|---|
| الجهد (Vds) | 100V–650V |
| مقاومة التشغيل RDS(on) | 15mΩ–50mΩ |
| سرعة التبديل | <5ns |
| أقصى تيار تصريف مستمر (Id) | 20A–100A |
| الشحنة الكلية للبوابة (Qg) | 5nC–30nC |
| تنقّل الإلكترونات | ~2000 cm²/V·s |
| أقصى درجة حرارة تقاطع (Tj) | -55°C to +150°C |
| كثافة الطاقة | Up to 10x Si |
التطبيقات
التطبيقات
مضخمات تردد الجيل الخامس
مضخمات قدرة عالية التردد لمحطات 5G الصغيرة، لدعم إطلاق شبكات الجيل القادم في المملكة.
الشواحن السريعة
شواحن USB-C مدمجة للهواتف الذكية وأجهزة الحاسوب المحمولة، تقلّل الحجم وتزيد الكفاءة.
الأجهزة القابلة للارتداء
إدارة طاقة للساعات الذكية وأجهزة تتبع الصحة، تدعم نمو سوق الأجهزة القابلة للارتداء في السعودية.
نقل الطاقة لاسلكيًا
وحدات فعّالة لحلول الشحن اللاسلكي في المنازل والأماكن العامة.
محولات DC–DC
محولات عالية التردد لمصادر طاقة الاتصالات، تضمن الاعتمادية في بنية الجيل الخامس.
أنظمة الرادار
ترانزستورات GaN عالية السرعة (HEMTs) لوحدات الرادار، دعمًا لتقنيات الدفاع في المملكة.
الأجهزة الطبية المحمولة
حلول طاقة مدمجة لأدوات التشخيص، تعزز قابلية النقل في الرعاية الصحية.